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IXBX64N250

更新时间： 2024-11-18 20:04:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	192K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLIUS247, 3 PIN

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IXBX64N250 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLIUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	2500 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	25 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	735 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	397 ns	标称接通时间 (ton)：	632 ns
Base Number Matches：	1

IXBX64N250 数据手册

High Voltage, High Gain

BiMOSFET^TM

V_CES= 2500V

I_C110= 64A

V_CE(sat)≤ 3.0V

IXBK64N250

IXBX64N250

Monolithic Bipolar

MOS Transistor

TO-264 (IXBK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

2500

±25

Tab

V_CGR

PLUS247^TM(IXBX)

V_GES

V_GEM

Transient

±35

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

T_C= 110°C

156

120

I_LRMS

I_C100

I_CM

Tab

T_C= 25°C, 1ms

600

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 160

G = Gate

E = Emitter

= Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE< 0.8 • V_CES

Tab = Collector

T_SC

V_GE= 15V, T_J= 125°C,

(SCSOA)

R_G= 5Ω, V_CE= 1250V, Non-Repetitive

μs

P_C

T_C= 25°C

735

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zHigh Blocking Voltage

^zLow Switching Losses

^zHigh Current Handling Capability

^zAnti-Parallel Diode

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264 )

Mounting Force (PLUS247 )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zUninterrupted Power Supplies (UPS)

^zCapacitor Discharge Circuits

^zLaser Generators

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

50 μA

T_J= 125°C

6 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 25V

±200 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.5

3.1

3.0

T_J= 125°C

DS99832B(08/11)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBX75N170	IXYS	获取价格	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBX75N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBX75N170A	IXYS	获取价格	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBX75N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXC	IXYS	获取价格	High Voltage Current Regulators
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IXCP01M90S	ETC	获取价格	Analog IC
IXCP01N90E	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

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