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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 8.59 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 110 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 110 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1040 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 595 ns | 标称接通时间 (ton)： | 65 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXC | IXYS |
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High Voltage Current Regulators |
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| IXC1100 | INTEL |
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Intel㈢ IXP42X Product Line of Network Process |
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| IXCH36N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXCK36N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXCP01M90S | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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| IXCP01N90E | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXCP02A35 | IXYS |
获取价格 |
Analog Circuit, 1 Func, PSFM3, TO-220AB, 3 PIN |
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| IXCP02A35A | IXYS |
获取价格 |
Analog Circuit, 1 Func, PSFM3, TO-220AB, 3 PIN |
|
| IXCP02A45 | IXYS |
获取价格 |
Analog Circuit, 1 Func, PSFM3, TO-220AB, 3 PIN |
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| IXCP02A45A | IXYS |
获取价格 |
Analog Circuit, 1 Func, PSFM3, TO-220AB, 3 PIN |
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