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IXCP01N90E

更新时间： 2024-02-12 07:02:33

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	112K
描述
Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IXCP01N90E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	175 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXCP01N90E 数据手册

V_DSS= 900 V

I_D(limit)= 250mA

IXCP 01N90E

IXCY 01N90E

Gate Controlled

Current Limiter

_DS(on)= 80 Ω

N-Channel,EnhancementMode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-252 (IXCY)

TO-220 (IXCP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

900

TAB

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

P_D

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque with 3.5mm screw (TO-220)

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-251/252 = 1 g, TO-220 = 4 g

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Features

•High output resistance in the saturated

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 25 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

900

2.5

•^mRu^og^dg^ee^od^fH^oD^peM^raO^tiS^o^Tⁿ^Mprocess

•Stable peak drain current limit

•High voltage current regulator

•International standard packages

I_GSS

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±50 nA

10 µA

I_DSS

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V

Applications

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 50 mA

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

• Current regulation

• Over current and over voltage

I_DP

Plateau Current; V

= 10 V, V_GS= 10V

100

130 mA

Pulse test, t ≤ 300 ^Dµ^Ss, duty cycle d ≤ 2 %

• L^pi^rn^oe^tea^cr^tioreⁿgu^fola^rt^so^er^{nsitive loads}

98701-A (8/02)

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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