是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 8.48 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 684194 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | Transistor IGBT |
Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name: | TO-247 Ad |
Samacsys Released Date: | 2020-01-15 09:49:58 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 130 A | 集电极-发射极最大电压: | 3000 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 25 V | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 625 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 475 ns |
标称接通时间 (ton): | 637 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBX64N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBX64N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLIUS247, 3 PIN | |
IXBX75N170 | IXYS |
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BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBX75N170 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBX75N170A | IXYS |
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BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBX75N170A | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXC | IXYS |
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High Voltage Current Regulators | |
IXC1100 | INTEL |
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Intel㈢ IXP42X Product Line of Network Process | |
IXCH36N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXCK36N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO |