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IXBT6N170

更新时间： 2024-11-22 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压二极管
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBT6N170 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IXBT6N170 数据手册

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High Voltage, High Gain  
BIMOSFETTM Monolithic  
Bipolar MOS Transistor  
VCES = 1700V  
IC90 = 6A  
IXBH6N170  
IXBT6N170  
VCE(sat) ≤ 3.4V  
TO-247 (IXBH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
1700  
1700  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
C (TAB)  
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
12  
6
A
A
A
TO-268 (IXBT)  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1ms  
36  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 24Ω  
ICM = 16  
A
V
G
E
(RBSOA)  
Clamped inductive load  
VCES ≤ 1350  
C (TAB)  
PC  
TC = 25°C  
75  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TAB = Collector  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
z
Md  
Mounting torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
High blocking voltage  
z Integrated Anti-parallel diode  
z International standard packages  
z Low conduction losses  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Advantages  
z Low gate drive requirement  
z High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA, VCE = VGE  
IC = 250μA, VCE = VGE  
1700  
V
V
Applications:  
2.5  
5.5  
z Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
10  
μA  
μA  
s
z Uninterruptible power supplies (UPS)  
z Laser generator  
VGE = 0V  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
100  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
z Capacitor discharge circuit  
z AC switches  
VCE(sat)  
IC = 6A, VGE = 15V, Note 1  
2.84  
3.46  
3.40  
V
V
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
DS99004C(10/08)  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXBX25N250 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBX25N250 IXYS

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IXBX28N300HV LITTELFUSE

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 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
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