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IXBX25N250

更新时间： 2024-11-06 21:16:51

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力特 - LITTELFUSE		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	167K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXBX25N250 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Base Number Matches：	1

IXBX25N250 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 2500V

I_C90= 25A

V_CE(sat)≤ 3.3V

IXBX25N250

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

PLUS247^TM

T_C= 25°C to 150°C

2500

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

180

Tab

G = Gate

C = Collector

= Emitter

Tab = Collector

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 4.7Ω

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

I_CM= 80

V_CES≤ 2000

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

High Blocking Voltage

-55 ... +150

^zInternational Standard Package

^zLow Conduction Losses

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) From Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Advantages

Weight

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Applications

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generator

Min.

Typ. Max.

BV_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

2500

^zCapacitor Discharge Circuit

^zAC Switches

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

50 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

3.3

3.4

DS100044A(10/10)

12 3 4 5 6 7

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