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IXBT42N170

更新时间： 2024-11-21 21:12:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	176K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXBT42N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.36	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1070 ns	标称接通时间 (ton)：	224 ns
Base Number Matches：	1

IXBT42N170 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700V

I_C90= 42A

V_CE(sat)≤ 2.8V

IXBH42N170

IXBT42N170

TO-247 (IXBH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_LRMS

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

Terminal Current Limit

T_C= 90°C

TO-268 (IXBT)

T_C= 25°C, 1ms

300

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 100

(RBSOA)

Clamped inductive load

V_CES≤ 1350

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

360

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

High blocking voltage

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^zLow conduction losses

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zLow gate drive requirement

^zHigh power density

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications:

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

1700

2.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

5.5

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zLaser generator

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0V

50 μA

1.5 mA

^zCapacitor discharge circuit

^zAC switches

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 42A, V_GE= 15V, Note 1

2.8

T_J= 125°C

2.7

DS98710C(10/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT42N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT42N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT42N170-TRL	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT42N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 104A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT42N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT6N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic
IXBT6N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBX25N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBX25N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
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