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IXBT42N170A

更新时间： 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 电动机控制栅双极性晶体管高压二极管
页数 文件大小 规格书
7页 263K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBT42N170A 数据手册

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Preliminary Technical Information  
High Voltage, High Gain  
VCES = 1700V  
IC90 = 21A  
VCE(sat) ≤ 6.0V  
IXBT42N170A  
IXBH42N170A  
BIMOSFETTM Monolithic  
Bipolar MOS Transistor  
tfi  
= 20ns  
TO-268 (IXBT)  
G
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
1700  
1700  
V
V
C (Tab)  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
TO-247 (IXBH)  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1ms  
42  
21  
265  
A
A
A
G
C
E
C (Tab)  
SSOA  
(RBSOA)  
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10Ω  
ICM = 84  
1360  
A
V
Clamped Inductive Load  
TSC  
(SCSOA)  
VGE = 15 V, VCES =1200V, TJ = 125°C  
RG = 10Ω, non repetitive  
G = Gate  
E = Emiiter  
C
= Collector  
10  
µs  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
357  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z
High Blocking Voltage  
z International Standard Packages  
z Anti-Parallel Diode  
z Low Conduction Losses  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4
6
g
g
Advantages  
z Low Gate Drive Requirement  
z High Power Density  
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250µA, VGE = 0V  
IC = 750µA, VCE = VGE  
1700  
2.5  
V
V
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
5.5  
z Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
z AC Motor Drives  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V  
50 µA  
1.5 mA  
TJ = 125°C  
z Capacitor Discharge Circuits  
z AC Switches  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15V, Note 1  
5.2  
5.3  
6.0  
V
V
TJ = 125°C  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS98939A(11/12)  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXBT42N170-TRL IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
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 		High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic
IXBT6N170 LITTELFUSE

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