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IXBT28N170A

更新时间： 2024-09-16 19:43:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	69K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXBT28N170A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXBT28N170A 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

V_CES= 1700 V

HighVoltage,HighGain

IXBH 28N170A

IXBT 28N170A

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

I_C25

V_CE(sat)

t_fi

30 A

6.0 V

= 50 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247AD(IXBH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM

V_CES

1350

C (TAB)

Clamped inductive load

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

°C

-55 ... +150

Features

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

^zHigh Blocking Voltage

^zJEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

260

^zLow conduction losses

M_d

Mounting torque (M3) (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

- drive simplicity

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

^zAC motor speed control

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

Temperature Coefficent

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

Temperature Coefficent

1700

3.0

%/K

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

0.10

6.0

- 0.24

%/K

^zCapacitor discharge circuits

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

10 µA

100 µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100 nA

^zHigh power density

^zSuitable for surface mounting

^zEasy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

4.7

5.0

6.0

T_J= 125°C

DS99333(02/05)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXBT42N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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