Datasheet > IXBT20N300

IXBT20N300

更新时间： 2024-09-15 21:10:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	175K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXBT20N300 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	3000 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	695 ns
标称接通时间 (ton)：	608 ns	Base Number Matches：	1

IXBT20N300 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 3000V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBH20N300

IXBT20N300

TO-268 (IXBT)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

3000

C (Tab)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-247 (IXBH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

140

C (Tab)

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

I_CM= 130

1500

Clamped Inductive Load

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

P_C

T_C= 25°C

250

Tab = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

High Blocking Voltage

^zAnti-Parallel Diode

^zInternational Standard Packages

^zLow Conduction Losses

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Advantages

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3000

2.5

5.0

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

35 μA

1.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

Applications:

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.7

3.2

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

DS100124A(12/12)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXBT20N300相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT20N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT20N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT20N360HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBT20N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT22N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT24N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT24N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT28N170A	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT2N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3

与IXBT20N300相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBT20N300

IXBT20N300 技术参数

IXBT20N300 数据手册

与IXBT20N300相关器件

与IXBT20N300相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBT20N300

IXBT20N300 技术参数

IXBT20N300 数据手册

与IXBT20N300相关器件

与IXBT20N300相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？