Datasheet > IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

更新时间： 2024-11-18 21:19:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
5页	199K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXBT20N300HV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.28
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	3000 V
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXBT20N300HV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 3000V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBT20N300HV

TO-268

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

3000

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (Tab)

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

140

Tab = Collector

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

I_CM= 130

1500

Clamped Inductive Load

P_C

T_C= 25°C

250

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

High Voltage Package

High Blocking Voltage

-55 ... +150

^zAnti-Parallel Diode

^zLow Conduction Losses

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Weight

Advantages

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications:

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3000

2.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

35 μA

1.5 mA

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.7

3.2

T_J= 125°C

DS100513(11/12)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXBT20N300HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT20N360HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBT20N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT22N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT24N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT24N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT28N170A	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT2N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3
IXBT2N250-TR	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT32N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor

与IXBT20N300HV相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBT20N300HV

IXBT20N300HV 技术参数

IXBT20N300HV 数据手册

与IXBT20N300HV相关器件

与IXBT20N300HV相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBT20N300HV

IXBT20N300HV 技术参数

IXBT20N300HV 数据手册

与IXBT20N300HV相关器件

与IXBT20N300HV相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？