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IXBT24N170

更新时间： 2024-11-04 15:35:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
5页	176K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXBT24N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.49	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1285 ns	标称接通时间 (ton)：	190 ns
Base Number Matches：	1

IXBT24N170 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700V

I_C110= 24A

V_CE(sat)≤ 2.5V

IXBT24N170

IXBH24N170

TO-268 (IXBT)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

1700

TO-247 (IXBH)

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

C (Tab)

230

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 50

Tab = Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CES≤ 1360

P_C

T_C= 25°C

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

High Blocking Voltage

^zInternational Standard Packages

^zLow Conduction Losses

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Advantages

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

500 μA

T_J= 125°C

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.5

2.4

DS100190A(03/13)

12 3 4 5

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与IXBT24N170相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT28N170A	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT2N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT2N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3
IXBT2N250-TR	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT32N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBT32N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT42N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT42N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT42N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT42N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO

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