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IXBT20N300HV

更新时间： 2024-09-15 19:51:31

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	250K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,

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IXBT20N300HV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	3000 V	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXBT20N300HV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 3000V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBT20N300HV

TO-268

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

3000

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (Tab)

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

140

Tab = Collector

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

I_CM= 130

1500

Clamped Inductive Load

P_C

T_C= 25°C

250

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

High Voltage Package

High Blocking Voltage

-55 ... +150

^zAnti-Parallel Diode

^zLow Conduction Losses

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Weight

Advantages

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications:

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3000

2.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

35 μA

1.5 mA

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.7

3.2

T_J= 125°C

DS100513(11/12)

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