是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-247AC |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 0.76 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 410 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 190 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFP4668PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFP4227PBF | INFINEON |
功能相似 |
PDP SWITCH | |
IRFP250NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP250R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247 | |
IRFP251 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) | |
IRFP251 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets | |
IRFP251 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series | |
IRFP251R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247 | |
IRFP252 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets | |
IRFP252 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series | |
IRFP252 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) | |
IRFP252R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 | |
IRFP253 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |