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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP251R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247 |
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| IRFP252 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |
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| IRFP252 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP252 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
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| IRFP252R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP253 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |
|
| IRFP253 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP253 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
|
| IRFP253R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP254 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) |
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