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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP252R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP253 | SAMSUNG |
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N-Channel Power Mosfets |
|
| IRFP253 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP253 | INFINEON |
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N-Channel(Hexfet Transistors) |
|
| IRFP253R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP254 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) |
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| IRFP254 | IXYS |
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Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
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| IRFP254 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP254 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
|
| IRFP254A | INFINEON |
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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 |
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