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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.88 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP254A | INFINEON |
获取价格 |
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 |
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| IRFP254B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| IRFP254B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP254N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) |
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| IRFP254N | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP254NPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP254NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFP254PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP254R | RENESAS |
获取价格 |
IRFP254R |
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| IRFP255 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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