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IRFP264

更新时间： 2024-01-15 01:10:19

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描述
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

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IRFP264 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP264 数据手册

IRFP 264 V_DSS= 250 V

I_D(cont)= 38 A

Standard Power MOSFET

R_DS(on)= 0.075 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

250

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

150

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

280

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

Weight

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Highcommutatingdv/dtrating

Fast switching times

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

min. typ. max.

Motorcontrold

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

250

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 23 A

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.075

Ω

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

96668(1/96)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP244PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFP264PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFP264	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP264N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A)
IRFP264N	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP264NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP264NPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP264PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP264PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP26N60L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP26N60L	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFP26N60LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(on)ty
IRFP26N60LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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