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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.08 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 200 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 340 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 850 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFP4368PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP2907ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP31N50L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP31N50L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A) |
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| IRFP31N50LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP3206 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP3206PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP32N50 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A) |
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| IRFP32N50K | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A) |
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| IRFP32N50K | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP32N50K_04 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP32N50KPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)ty |
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