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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP2907ZPBF
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IRFP2907ZPBF

更新时间： 2024-11-02 03:10:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 269K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFP2907ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.99
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：690 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：170 A
最大漏极电流 (ID)：90 A最大漏源导通电阻：0.0045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：680 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP2907ZPBF 数据手册

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PD - 95480  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFP2907ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 75V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
‰
RDS(on) = 4.5mΩ  
G
l
Lead-Free  
ID = 90A  
S
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
170  
120  
90  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
680  
310  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
2.0  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
520  
690  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.49  
–––  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
0.24  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
7/16/04  
1234567...9

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IRFP2907ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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