5秒后页面跳转
IRFP333 PDF预览

IRFP333

更新时间: 2024-11-20 19:43:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

IRFP333 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
雪崩能效等级(Eas):290 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:350 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4.5 A
最大漏极电流 (ID):4.5 A最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):18 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):80 ns最大开启时间(吨):46 ns
Base Number Matches:1

IRFP333 数据手册

  

与IRFP333相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP340 INTERSIL

获取价格

11A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP340 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A)
IRFP340 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFP340A ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR
IRFP340B FAIRCHILD

获取价格

400V N-Channel MOSFET
IRFP340CF NSC

获取价格

IRFP340CF
IRFP340PBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFP340PBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFP340R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247AC
IRFP341 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AC