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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 130 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP32N50K | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A) |
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| IRFP32N50K | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP32N50K_04 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP32N50KPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)ty |
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| IRFP32N50KPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP32N50KS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFP330 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFP3306 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP3306PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP331 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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