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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 111 ns | 最大开启时间（吨）： | 62 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP343R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP344 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP344 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.63ohm, Id=9.5A) |
|
| IRFP344PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP344PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP350 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) |
|
| IRFP350 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP350 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP350 | INTERSIL |
获取价格 |
16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP350-205PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
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