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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP3306 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP3306PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP331 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFP332 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP333 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP340 | INTERSIL |
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11A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFP340 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A) |
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| IRFP340 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP340A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFP340B | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET |
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