IRFP32N50K

更新时间： 2024-11-02 12:46:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFP32N50K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.21	雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP32N50K 数据手册

IRFP32N50K, SiHFP32N50K

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.135

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

190

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Low R_DS(on)

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Hard Switching and High Frequency Circuits

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP32N50KPbF

SiHFP32N50K-E3

IRFP32N50K

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP32N50K

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

130

Linear Derating Factor

3.7

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

450

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

460

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Starting T_J= 25 °C, L = 0.87 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 32 A.

c. I_SD≤ 32 A, dI/dt ≤ 197 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may applyrom case.

Document Number: 91221

S-81361-Rev. B, 07-Jul-08

www.vishay.com

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IRFP32N50K_04	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP32N50KPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)ty
IRFP32N50KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP32N50KS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 32A I(D) \| TO-247VAR
IRFP330	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-247VAR
IRFP3306	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFP3306PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP331	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFP332	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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