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IRFP32N50KPBF

更新时间： 2025-08-11 04:23:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)typ. = 0.135ヘ , ID = 32A )

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PD - 95052

IRFP32N50KPbF

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency

Circuits

V_DSS

500V

R_DS(on)typ.

I_D

32A

0.135Ω

l Lead-Free

Benefits

l Low Gate Charge Qg results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

l Low R_DS(on)

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

32

20

130

A

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

460

W

W/°C

V

Linear Derating Factor

3.7

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

13

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case )

300

°C

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lb*in (1.1N*m)

Avalanche Characteristics

Symbol

E_AS

I_AR

Parameter

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Typ.

Max.

450

32

Units

mJ

A

–––

–––

–––

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

46

mJ

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.26

–––

40

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.24

–––

°C/W

www.irf.com

1

2/26/04

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP32N50KS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 32A I(D) \| TO-247VAR
IRFP32N50K_04	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP330	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-247VAR
IRFP3306	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFP3306PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP331	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFP332	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP333	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP340	INTERSIL	获取价格	11A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP340	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A)

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