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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP344PBF
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IRFP344PBF

更新时间： 2024-10-01 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 2047K
描述
Power MOSFET

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IRFP344PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：9.5 A最大漏源导通电阻：0.63 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP344PBF 数据手册

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IRFP344, SiHFP344  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
450  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
RoHS  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.63  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
80  
12  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
41  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-247  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
G
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP344PbF  
SiHFP344-E3  
Lead (Pb)-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
450  
20  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
9.5  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
6.0  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
38  
Linear Derating Factor  
1.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
410  
9.5  
EAR  
15  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
T
C = 25 °C  
PD  
150  
3.5  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 8.1 mH, RG = 25 Ω, IAS = 9.5 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 9.5 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
Document Number: 91223  
S-Pending-Rev. A, 24-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFP344PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK386 TOSHIBA

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 TRANSISTOR 10 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
IRFP448PBF VISHAY

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STW14NB50 STMICROELECTRONICS

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IRFP350 INTERSIL

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 		16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP350-205PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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