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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 80 ns | 最大开启时间（吨）： | 46 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP332 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP333 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFP340 | INTERSIL |
获取价格 |
11A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFP340 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A) |
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| IRFP340 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP340A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFP340B | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| IRFP340CF | NSC |
获取价格 |
IRFP340CF |
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| IRFP340PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP340PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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