IRFP340

更新时间： 2024-11-02 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1531K
描述
Power MOSFET

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IRFP340 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	480 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP340 数据手册

IRFP340, SiHFP340

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

• Repetitive Avalanche Rated

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.55

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-247

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.

It also provides greater creepage distances between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP340PbF

SiHFP340-E3

IRFP340

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP340

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

6.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

480

E_AR

150

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.9 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 11 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 11 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91222

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP340PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRFP340相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP340A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-247VAR
IRFP340B	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET
IRFP340CF	NSC	获取价格	IRFP340CF
IRFP340PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP340PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP340R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-247AC
IRFP341	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247AC
IRFP3411	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247VAR
IRFP3415	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
IRFP3415PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET

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