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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP342R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC |
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| IRFP343 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP343R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC |
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| IRFP344 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP344 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.63ohm, Id=9.5A) |
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| IRFP344PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP344PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP350 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) |
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| IRFP350 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP350 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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