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IRFP3006PBF

更新时间： 2024-01-02 22:39:03

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Power Field-Effect Transistor

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IRFP3006PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.11
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	375 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRFP3006PBF 数据手册

IRFP3006PbF

V_DSS

60V

R_DS(on)typ.

2.1m

max.

2.5m

270A

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

195A

TO-247AC

Applications

 High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

 Uninterruptible Power Supply

Gate

Drain

Source

 High Speed Power Switching

 Hard Switched and High Frequency Circuits

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

 Lead-Free

Base Part Number

Package Type

Standard Pack

Orderable Part Number

Form

Quantity

IRFP3006PbF

TO-247

Tube

IRFP3006PbF

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

270

190

195

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current 

1080

375

Maximum Power Dissipation

P_D@T_C= 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

2.5

Gate-to-Source Voltage

± 20

V_GS

Peak Diode Recovery 

dv/dt

T_J

V/ns

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

T_STG

°C

300

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbf



in (1.1N



Avalanche Characteristics

E_{AS (Thermally limited)}

Single Pulse Avalanche Energy 

320

I_AR

Avalanche Current 

See Fig. 14, 15, 22a, 22b

E_AR

Repetitive Avalanche Energy 

Thermal Resistance

Symbol

R_JC

Parameter

Typ.

–––

0.24

–––

Max.

0.4

Units

Junction-to-Case 

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

R_CS

R_JA

–––

°C/W

www.irf.com

September 06, 2013

12 3 4 5 6 7...9

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