IRFP31N50L

更新时间： 2024-01-23 08:13:57

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFP31N50L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-247AC, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.33	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	31 A	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	460 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP31N50L 数据手册

IRFP31N50L, SiHFP31N50L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Super Fast Body Diode Eliminates the Need for

External Diodes in ZVS Applications

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.15

RoHS*

• Lower Gate Charge Results in Simpler Drive

Requirements

Q_g(Max.) (nC)

210

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

100

• Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

Configuration

Single

• Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise

Immunity

TO-247

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

• Zero Voltage Switching SMPS

• Telecom and Server Power Supplies

• Uninterruptible Power Supplies

• Motor Control Applications

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP31N50LPbF

SiHFP31N50L-E3

IRFP31N50L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP31N50L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

124

Linear Derating Factor

3.7

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

460

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

460

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 1 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 31 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 31 A, dI/dt ≤ 422 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91220

S-81274-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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IRFP32N50	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
IRFP32N50K	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
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IRFP32N50KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP32N50KS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 32A I(D) \| TO-247VAR

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