是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.1 | 雪崩能效等级(Eas): | 170 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 200 A |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.003 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 280 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 840 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFP3306PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP32N50 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A) | |
IRFP32N50K | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A) | |
IRFP32N50K | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFP32N50K_04 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFP32N50KPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)ty | |
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFP32N50KS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR | |
IRFP330 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247VAR | |
IRFP3306 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil | |
IRFP3306PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |