IRFP264PBF

更新时间： 2024-01-13 11:36:24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFP264PBF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 94900

IRFP264PbF

• Lead-Free

www.irf.com

12/18/03

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP26N60L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP26N60L	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFP26N60LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(on)ty
IRFP26N60LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP27N60K	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP27N60K	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
IRFP27N60KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP27N60KPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP2907	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form
IRFP2907HR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me