IRFP264

更新时间： 2024-11-24 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFP264 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFP264 数据手册

IRFP264, SiHFP264

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

• Repetitive Avalanche Rated

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

Available

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= 10 V

0.075

RoHS*

210

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.

It also provides greater creepage distances between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP264PbF

SiHFP264-E3

IRFP264

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP264

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

250

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

150

Linear Derating Factor

2.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1000

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

280

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 1.1 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 38 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 38 A, dI/dt ≤ 210 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91217

S-81264-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP264N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A)
IRFP264N	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP264NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP264NPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP264PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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IRFP26N60L	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFP26N60LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(on)ty
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