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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 208 ns | 最大开启时间（吨）： | 159 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP255R | RENESAS |
获取价格 |
IRFP255R |
|
| IRFP256 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP257 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP260 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP260 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
|
| IRFP260 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) |
|
| IRFP260M | INFINEON |
获取价格 |
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers |
|
| IRFP260MPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFP260N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) |
|
| IRFP260NHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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