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IRFP255

更新时间: 2024-11-01 19:43:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

IRFP255 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
雪崩能效等级(Eas):800 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (Abs) (ID):21 A
最大漏极电流 (ID):21 A最大漏源导通电阻:0.17 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W最大功率耗散 (Abs):180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):84 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):208 ns最大开启时间(吨):159 ns
Base Number Matches:1

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