IRFP260

更新时间： 2024-11-01 22:40:59

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描述
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

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IRFP260 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.56	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	46 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	184 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP260 数据手册

V_DSS

I_D(cont)

R_DS(on)= 55 mΩ

= 200 V

= 46 A

Standard

Power MOSFET

IRFP 260

N-Channel Enhancement Mode

Symbol TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J

= 25°C to 150°C

200

= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C

= 25°C

184

= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

E_AR

T_C

I_S

= 25°C

dv/dt

≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

P_D

T_C= 25°C

280

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Highcommutatingdv/dtrating

• Fast switching times

Symbol TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

• Motorcontrols

• UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

• DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

200

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

V_DS= 200V

V_DS= 160V

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 28 A

0.055

Ω

• High power density

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97545(1/98)

1 - 2

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