本文将详细介绍IRFP260场效应管的参数，包括其主要特性、输入电压范围、最大功耗等，并提供其引脚图以帮助读者更好地理解和应用这款场效应管。

IRFP260是ON Semiconductor公司推出的一款低压、高电流场效应管，广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动等领域。本文将从参数和引脚图两个方面对IRFP260进行详细的介绍，以帮助读者更好地了解这款场效应管的特点和应用。

一、IRFP260场效应管参数

封装类型： TO-247、TO-3P

晶体管类型： N 沟道

从漏极到源极施加的最大电压： 200V

最大栅极至源极电压应为：±20V

最大持续漏极电流为： 46A

最大脉冲漏极电流为：180A

最大功耗为：280W

导通状态下的最大漏源电阻（RDS 开启）：0.055mΩ

最高存储和工作温度应为： -55 至 +150 ℃

二、IRFP260场效应管引脚图

三、IRFP260场效应管选型替换

IRFP260 等效项：IRF044、IRF044SMD、IRF054、IRF054SMD、IRF100B201

IRFP260场效应管作为一种高性能的场效应管，其在各种电子设备中的应用越来越广泛。通过了解其详细参数和引脚图，我们可以更好地掌握这一元件的特点和使用方法，为实际应用提供有力的支持。希望本文能对大家有所帮助，欢迎继续关注更多关于电子元器件的知识。