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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.88 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP255 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP255R | RENESAS |
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IRFP255R |
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| IRFP256 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247 |
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| IRFP257 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247 |
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| IRFP260 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP260 | IXYS |
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Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
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| IRFP260 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) |
|
| IRFP260M | INFINEON |
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers |
|
| IRFP260MPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFP260N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) |
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