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IRFP254

更新时间： 2024-11-01 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1371K
描述
Power MOSFET

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IRFP254 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.12雪崩能效等级（Eas）：410 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP254 数据手册

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IRFP254, SiHFP254  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
250  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.14  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
140  
24  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
71  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.  
It also provides greater creepage distance between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP254PbF  
SiHFP254-E3  
IRFP254  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP254  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
250  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
23  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
15  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
92  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
410  
23  
EAR  
19  
190  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.8  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 1.2 mH, RG = 25 Ω, IAS = 23 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 23 A, dI/dt ≤ 180 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91214  
S-81304-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRFP254 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP254PBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET
SIHFP254 VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP254A INFINEON

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IRFP254B_FP001 FAIRCHILD

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IRFP254N INFINEON

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