是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-3P | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 27 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.12 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 180 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP253R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 | |
IRFP254 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) | |
IRFP254 | IXYS |
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Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode | |
IRFP254 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFP254 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | |
IRFP254A | INFINEON |
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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 | |
IRFP254B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
IRFP254B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFP254N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) | |
IRFP254N | VISHAY |
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Power MOSFET |