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IRFP253

更新时间: 2024-10-31 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 522K
描述
N-Channel Power Mosfets

IRFP253 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):27 A最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):180 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFP253 数据手册

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