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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 33 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 180 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 130 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 220 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 210 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP252 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |
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| IRFP252 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP252 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
|
| IRFP252R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP253 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |
|
| IRFP253 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
|
| IRFP253 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
|
| IRFP253R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP254 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) |
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| IRFP254 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
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