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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP252R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP253 | SAMSUNG |
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N-Channel Power Mosfets |
|
| IRFP253 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP253 | INFINEON |
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N-Channel(Hexfet Transistors) |
|
| IRFP253R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP254 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) |
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| IRFP254 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
|
| IRFP254 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP254 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
|
| IRFP254A | INFINEON |
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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 |
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