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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP252R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP253 | SAMSUNG |
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N-Channel Power Mosfets |
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| IRFP253 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP253 | INFINEON |
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N-Channel(Hexfet Transistors) |
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| IRFP253R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP254 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A) |
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| IRFP254 | IXYS |
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Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
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| IRFP254 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP254 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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| IRFP254A | INFINEON |
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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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