5秒后页面跳转
IRFP251 PDF预览

IRFP251

更新时间: 2024-11-20 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 高压
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

IRFP251 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):33 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):180 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IRFP251 数据手册

  

与IRFP251相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP251R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247
IRFP252 SAMSUNG

获取价格

N-Channel Power Mosfets
IRFP252 IXYS

获取价格

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
IRFP252 INFINEON

获取价格

N-Channel(Hexfet Transistors)
IRFP252R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247
IRFP253 SAMSUNG

获取价格

N-Channel Power Mosfets
IRFP253 IXYS

获取价格

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
IRFP253 INFINEON

获取价格

N-Channel(Hexfet Transistors)
IRFP253R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247
IRFP254 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)