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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP251 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
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| IRFP251 | SAMSUNG |
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N-Channel Power Mosfets |
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| IRFP251 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP251R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247 |
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| IRFP252 | SAMSUNG |
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N-Channel Power Mosfets |
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| IRFP252 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRFP252 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel(Hexfet Transistors) |
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| IRFP252R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP253 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-Channel Power Mosfets |
|
| IRFP253 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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