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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 8.42 | 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 180 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB180P04P403ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB180P04P4L-02 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPB19DP10NM | INFINEON |
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D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 |
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| IPB200N15N3 | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB200N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB200N25N3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| IPB200N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB200N25N3G_10 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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