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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB200N15N3 | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB200N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB200N25N3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| IPB200N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB200N25N3G_10 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPB200N25N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB22N03S4L-15 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB22N03S4L-15 | ROCHESTER |
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22A, 30V, 0.0146ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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