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IPB230N06L3G

更新时间: 2024-09-13 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
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10页 286K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

IPB230N06L3G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.44
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):13 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.023 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):36 W最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

IPB230N06L3G 数据手册

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IPB230N06L3 G IPP230N06L3 G  
OptiMOS3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
23  
30  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB230N06L3 G  
IPP230N06L3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
230N06L  
PG-TO220-3  
230N06L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
30  
21  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
120  
Avalanche energy, single pulse3)  
Gate source voltage  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
13  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
36  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... 175  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3 for more detailed information  
3) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.2  
page 1  
2010-01-22  

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