型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB320P10LM | INFINEON |
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D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 | |
IPB330P10NM | INFINEON |
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D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 | |
IPB339N20NM6 | INFINEON |
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IPB339N20NM6 OptiMOS? 6 200 V?is setting the new technology standard. It addresses the nee | |
IPB34CN10NG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB34CN10NGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB35CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB35N10S3L-26 | INFINEON |
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OptiMOSâ¢-T Power-Transistor | |
IPB35N10S3L-26_12 | INFINEON |
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OptiMOSâ¢-T Power-Transistor | |
IPB35N10S3L-26_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
IPB35N10S3L26ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0322ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |