5秒后页面跳转
IPB320N20N3G_10 PDF预览

IPB320N20N3G_10

更新时间: 2024-11-05 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 732K
描述
OptiMOS3 Power Transistor

IPB320N20N3G_10 数据手册

 浏览型号IPB320N20N3G_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB320N20N3G_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB320N20N3G_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB320N20N3G_10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB320N20N3G_10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB320N20N3G_10的Datasheet PDF文件第7页 
ꢀ$     "   "   ꢀ$ $    "   "    
ꢀ$ ꢀꢂ   "   "    
"%&$!"#C= $ ;B1 =ꢆ'=-: >5>?;=  
$ =;0@/? & @9 9 -=D  
7MI[\YMZ  
)
'
$
*((  
+*  
J
9H  
Q ' ꢀ3 81>>5<ꢁ >? B=1< <5F5<  
Y"  
6
9H"[Z#$YMd  
Q  H3 5<<5>D 71D5 3 81B75 H ' 9H"[Z# @B? 4E3 D  ( &   
Q .5BI <? G ? >ꢀB5C9CD1>3 5 ' 9H"[Z#  
+,  
9
Q    Tꢈ ? @5B1D9>7 D5=@5B1DEB5  
Q )2 ꢀ6B55 <514 @<1D9>7ꢉ + ? " , 3 ? =@<91>D  
Q * E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $     )# 6? B D1B75D 1@@<93 1D9? >  
Q " 1<? 75>ꢀ6B55 13 3 ? B49>7 D? #ꢂ       ꢀꢌ ꢀꢌ   
Q #451< 6? B 8978ꢀ6B5AE5>3 I CG9D3 89>7 1>4 CI>3 8B? >? EC B53 D9693 1D9? >  
C`XM  
#)ꢖ    '   '  !  
#))ꢒ   '   '  !  
#)#ꢒ   '   '  !  
@IKSIOM  
=IYSQVO  
E=%ID*.+%+  
+*(C*(C  
E=%ID**(%+  
+*(C*(C  
E=%ID*.*%+  
+*(C*(C  
! -C59 @9 =-?5: 3>ꢇ 1D ( V   Tꢈ  E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954  
EIT\M  
@IYIUM[MY  
B`UJWT 4WVLQ[QWVZ  
DVQ[  
$
( 8   Tꢈ  
( 8    Tꢈ  
( 8   Tꢈ  
 ? >D9>E? EC 4B19> 3 EBB5>D  
+,  
**  
6
9
)E<C54 4B19> 3 EBB5>D*#  
$
)+.  
9$\aX_Q  
#
)
%
$ 9     ' =H   "  
 F1<1>3 85 5>5B7Iꢁ C9>7<5 @E<C5  
!1D5 C? EB3 5 F? <D175  
)1(  
Y@  
J
6H  
=H  
`[`  
q*(  
( 8   Tꢈ  
)? G5B 49CC9@1D9? >  
)+.  
K
Tꢈ  
( V ( _`S  
( @5B1D9>7 1>4 CD? B175 D5=@5B1DEB5  
#ꢂ  3 <9=1D93 3 1D57? BIꢉ  #' #ꢂ    ꢀꢅ  
ꢀꢇ  ꢓꢓꢓ     
  ꢕꢅ   ꢕꢇ   
)#$ ꢀ,-ꢊ   1>4 $  ,ꢊ    
*# ,55 697EB5   
+ 5Fꢓ  ꢓꢌ  
@175   
    ꢀꢅ  ꢀꢐ   

与IPB320N20N3G_10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB320P10LM INFINEON

获取价格

D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、
IPB330P10NM INFINEON

获取价格

D²PAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、
IPB339N20NM6 INFINEON

获取价格

IPB339N20NM6 OptiMOS? 6 200 V?is setting the new technology standard. It addresses the nee
IPB34CN10NG INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB34CN10NGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB35CN10NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB35N10S3L-26 INFINEON

获取价格

OptiMOS™-T Power-Transistor
IPB35N10S3L-26_12 INFINEON

获取价格

OptiMOS™-T Power-Transistor
IPB35N10S3L-26_15 INFINEON

获取价格

Material Content Data Sheet
IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0322ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M